Qualcomm acaba de anunciar al nuevo procesador Snapdragon 835 que, sin duda, veremos en los primeros teléfonos del 2017. Sin embargo, aún no es motivo para empezar a ver a todos sus teléfonos con el 820 u 821 con disgusto y desdén!

Este nuevo chipset, producto de una alianza entre Samsung y Qualcomm, utilizará el proceso de 10 nanometros FinFET que, en castellano, se traduce a un procesador más potente y con mayor autonomía que la generación anterior. Esto convierte al Snapdragon 835 en el primer procesador construido bajo el proceso de 10 nanómetros, aunque TSMC le está pisando los talones al respecto a Samsung.

Según Qualcomm, veremos un salto de 27 por ciento en rendimiento – que, honestamente, no parece ser un salto tan grande frente a los smartphones actuales – pero lo que sí nos llamó la atención, fue que la empresa promete un consumo 40 por ciento menor que los Snapdragon 820 y 821.

El 820 y 821 que hemos visto en los teléfonos de gama alta este año dejaron que desear en temas energéticos. Sobre todo cuando la misma empresa produjo al Snapdragon 625, un procesador ligeramente inferior en poder de procesamiento, pero que dejaba al 820 mordiendo el polvo en cuanto a autonomía. Es el procesador que vemos en teléfonos de gama media como el Nova Plus o el Moto Z Play, y que parecen durar eternamente. Esperemos que este tipo de autonomía esté presente en el Snapdragon 835.

Además de esto, Qualcomm anunció que presentará la nueva tecnología de carga rápida, Quick Charge 4.0, que será más veloz en tiempo de carga que Quick Charge 3.0. Según Qualcomm, podremos obtener “5 horas de uso de sólo 5 minutos de carga”

Teniendo en cuenta que todo apunta a que Google tratará de bloquear estos métodos de carga propietarios de Android para favorecer al standard de USB C, llamado Power Delivery para evitar accidentes y confusión en general, tendremos que ver cómo, o si es que, los fabricantes de smartphones deciden implementar Quick Charge 4.0, o no….